電磁屏蔽技術(shù)探討
發(fā)布人： 發(fā)布時間：2015年11月5日 14:32:00 瀏覽次數(shù)：4672
近幾年來，隨著電磁兼容工作的開展，電磁屏蔽技術(shù)應(yīng)用得越來越廣泛。為了對電磁屏蔽技術(shù)有更深入的理解，應(yīng)當對屏蔽材料的性能和應(yīng)用場合、屏蔽技術(shù)的注意事項、屏蔽效能的檢測以及特殊部位的屏蔽措施等進行更深入的探討。 1 電磁屏蔽的技術(shù)原理 電磁屏蔽是電磁兼容技術(shù)的主要措施之一。即用金屬屏蔽材料將電磁干擾源封閉起來，使其外部電磁場強度低于允許值的一種措施；或用金屬屏蔽材料將電磁敏感電路封閉起來，使其內(nèi)部電磁場強度低于允許值的一種措施。 1.1 靜電屏蔽 用完整的金屬屏蔽體將帶正電導(dǎo)體包圍起來，在屏蔽體的內(nèi)側(cè)將感應(yīng)出與帶電導(dǎo)體等量的負電荷，外側(cè)出現(xiàn)與帶電導(dǎo)體等量的正電荷，如果將金屬屏蔽體接地，則外側(cè)的正電荷將流入大地，外側(cè)將不會有電場存在，即帶正電導(dǎo)體的電場被屏蔽在金屬屏蔽體內(nèi)。 1.2 交變電場屏蔽 為降低交變電場對敏感電路的耦合干擾電壓，可以在干擾源和敏感電路之間設(shè)置導(dǎo)電性好的金屬屏蔽體，并將金屬屏蔽體接地。交變電場對敏感電路的耦合干擾電壓大小取決于交變電場電壓、耦合電容和金屬屏蔽體接地電阻之積。只要設(shè)法使金屬屏蔽體良好接地，就能使交變電場對敏感電路的耦合干擾電壓變得很小。電場屏蔽以反射為主，因此屏蔽體的厚度不必過大，而以結(jié)構(gòu)強度為主要考慮因素。 1.3 交變磁場屏蔽 交變磁場屏蔽有高頻和低頻之分。低頻磁場屏蔽是利用高磁導(dǎo)率的材料構(gòu)成低磁阻通路，使大部分磁場被集中在屏蔽體內(nèi)。屏蔽體的磁導(dǎo)率越高，厚度越大，磁阻越小，磁場屏蔽的效果越好。當然要與設(shè)備的重量相協(xié)調(diào)。高頻磁場的屏蔽是利用高電導(dǎo)率的材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場來抵消干擾磁場而實現(xiàn)的。 1.4 交變電磁場屏蔽 一般采用電導(dǎo)率高的材料作屏蔽體，并將屏蔽體接地。它是利用屏蔽體在高頻磁場的作用下產(chǎn)生反方向的渦流磁場與原磁場抵消而削弱高頻磁場的干擾，又因屏蔽體接地而實現(xiàn)電場屏蔽。屏蔽體的厚度不必過大，而以趨膚深度和結(jié)構(gòu)強度為主要考慮因素。 2 屏蔽效能計算 屏蔽效能（SE）的定義是：在電磁場中同一地點無屏蔽時的電磁場強度與加屏蔽體后的電磁場強度之比。常用分貝數(shù)(dB)表示。 SE=A＋R＋B （1） 式中：A為吸收損耗； R為反射損耗； B為多次反射損耗。 2.1 電磁波反射損耗 由于空氣和屏蔽金屬的電磁波阻抗不同，使入射電磁波產(chǎn)生反射作用。而空氣的電磁波阻抗在不同場源和場區(qū)中是不一樣的，分別計算如下。 磁場源近場中的反射損耗R(dB)為 式中：μr為相對磁導(dǎo)率； σr為相對電導(dǎo)率； f為電磁波頻率（Hz）； D為輻射源到屏蔽體的距離（cm）。 電場源近場中的反射損耗R(dB)為 電磁場源遠場中的反射損耗R(dB)為 R=168－10log10(μrf/σr) （4） 2.2 電磁波吸收損耗 當進入金屬屏蔽內(nèi)的電磁波在屏蔽金屬內(nèi)傳播時，由于衰減而產(chǎn)生吸收作用。吸收損耗A(dB)為 式中：d為屏蔽材料厚度（mm）。 2.3 多次反射損耗 電磁波在屏蔽層間的多次反射損耗B(dB)為 式中：Zm為屏蔽金屬的電磁波阻抗； Zw為空氣的電磁波阻抗。 當A>10dB時，一般可以不計多次反射損耗。 2.4 屏蔽效能計算實例 場源距離不同材料的屏蔽體（厚度0.254mm）30cm遠的屏蔽效能（dB）計算結(jié)果見表1。表1中近場和遠場的分界點為λ/2π，λ為電磁場的波長。 表1 場源距離不同材料的屏蔽體（厚度0.254mm）30cm遠的屏蔽效能dB 頻率/Hz 銅 鐵 鋁 磁場近場 電場近場 遠場 磁場近場 電場近場 遠場 磁場近場 電場近場 遠場 60 3.46 空 空 3.22 空 空 空 空 空 1k 24.89 空 空 14.66 空 空 空 空 空 10k 44.92 212.73 128.73 51.50 217.50 134.00 空 空 空 150k 69.40 190.20 130.40 188.0 308.0 248.00 空 空 空 1M 97.60 185.40 141.60 391.0 479.0 435.00 88.00 176.0 - 15M 205.0 245.0 225.0 1102.0 1143.0 1123.0 174.0 215.0 - 100M 418.0 426.0 422.0 1425.0 1434.0 1430.0 342.0 350.0 - 3 屏蔽的注意事項 3.1 屏蔽的完整性 如果屏蔽體不完整，將導(dǎo)致電磁場泄漏。特別是電磁場屏蔽，它利用屏蔽體在高頻磁場的作用下產(chǎn)生反方向的渦流磁場與原磁場抵消而削弱高頻磁場干擾。如果屏蔽體不完整，渦流的效果降低，即屏蔽的效果大打折扣。 3.2 屏蔽材料的屏蔽效能和應(yīng)用場合 電磁屏蔽技術(shù)的進展，促使屏蔽材料的形式不斷發(fā)展，而不再局限于單層金屬平板模式，屏蔽效能也不斷提高。應(yīng)用時要特別注意不同的屏蔽材料具有不同的屏蔽效能和應(yīng)用場合。 3.2.1 金屬平板 電子設(shè)備采用金屬平板做機箱，既堅固耐用，又具有電磁屏蔽作用。其電磁屏蔽效能與金屬平板材料性質(zhì)、電磁場源性質(zhì)、電磁場源與金屬平板的距離、屏蔽體接地狀況等參數(shù)有關(guān)。各種金屬屏蔽材料的性能見表2。 表2 各種金屬屏蔽材料的性能 金屬屏蔽材料 相對于銅的電導(dǎo)率（σCu=5.8×107Ω/m） f=150kHz時的相對磁導(dǎo)率 f=150kHz時的吸收損耗/(dB/m) 銀 1.05 1 52 銅 1.00 1 51 金 0.70 1 42 鋁 0.61 1 40 鋅 0.29 1 28 黃銅 0.26 1 26 鎘 0.23 1 24 鎳 0.20 1 23 磷青銅 0.18 1 122 鐵 0.17 1000 650 鋼＃45 0.10 1000 500 坡莫合金 0.03 2500 不銹鋼 0.02 1000 220 3.2.2 屏蔽薄膜 當今許多電子設(shè)備采用工程塑料做機箱，由于工程塑料的加工工藝性能好，使機箱既造型美觀，又成本低、質(zhì)量輕。但工程塑料無電磁防護性能。屏蔽薄膜是采用噴涂、真空沉積、電鍍和粘貼等工藝技術(shù)，在工程塑料和有機介質(zhì)的表面覆蓋一層導(dǎo)電膜，從而起到平板屏蔽的作用。一般導(dǎo)電膜的厚度小于電磁波在其內(nèi)部傳播波長的1/4。 幾種噴涂工藝達到的屏蔽效能見表3。 表3 幾種噴涂工藝達到的屏蔽效能 噴涂工藝 厚度/μm 電阻/(Ω/mm2) 屏蔽效能/dB 鋅熱噴涂 25 4.0 50～60 鎳基涂層 50 0.5～0.2 30～75 銀基涂層 25 0.05～0.1 60～70 銅基涂層 25 0.5 60～70 石墨基涂層 25 7.5～20 20～40 電 鍍 0.75 0.1 85 化學(xué)鍍 1.25 0.03 60～70 真空沉積 1.25 5～10 50～70 電離鍍 1.0 0.01 50 不同厚度的銅薄膜的屏蔽效能見表4。 表4 銅薄膜的屏蔽效能 厚度/μm 頻率/Hz A R B 屏蔽效能/dB 0.105 1M 0.14 109 －47 62 0.105 1G 0.44 79 －17 62 1.25 1M 0.16 109 －26 83 1.25 1G 5.20 79 －0.6 84 2.196 1M 0.29 109 0.6 110 2.196 1G 9.20 79 0.6 90 21.96 1M 2.90 109 －3.5 108 21.96 1G 92 79 0 171 表頭或顯示器的屏蔽，可在表頭或顯示器的正面設(shè)置透光導(dǎo)電材料來實現(xiàn)。透光導(dǎo)電材料是在有機介質(zhì)或玻璃的表面覆蓋一層導(dǎo)電膜，使其既透光，又具有一定的屏蔽效能。不同透光率導(dǎo)電玻璃的屏蔽效能見表5。 表5 不同透光率導(dǎo)電玻璃的屏蔽效能 3.2.3 金屬絲網(wǎng) 當有通風(fēng)、透光、加水、測量等需要時，要在設(shè)備外殼上開孔，為提高設(shè)備的電磁屏蔽效果，應(yīng)采用金屬絲網(wǎng)的孔眼屏蔽。或用于電子設(shè)備殼體的接縫處，提供有效的電磁屏蔽?？籽鄣钠帘涡躍E（dB）與電磁波的頻率、孔眼的尺寸和數(shù)量等參數(shù)有關(guān)。 為提高孔眼的屏蔽效能可采取以下措施： 1）在大口徑孔眼上覆蓋金屬絲網(wǎng)，要使絲網(wǎng)與屏蔽體接觸良好； 2）將大孔改為小孔； 3）采用波導(dǎo)衰減器式通風(fēng)口； 4）在透光和測量孔上覆蓋有金屬絲網(wǎng)的屏蔽玻璃； 5）在需要水、氣密封的孔上墊含有橡膠等材料的金屬絲網(wǎng)。 下面介紹幾種常用的金屬絲網(wǎng)屏蔽材料。 3.2.3.1 全金屬絲網(wǎng)襯墊 全金屬絲網(wǎng)襯墊是一種彈性的、導(dǎo)電的編織型金屬襯墊絲網(wǎng)條，用于電子設(shè)備殼體的接縫處，提供有效的電磁屏蔽。應(yīng)用時，鑄造或機加工的殼體選用矩形截面的全金屬絲網(wǎng)襯墊，板金殼體選用圓形截面的全金屬絲網(wǎng)襯墊，壓縮量為原高度的25％左右。全金屬絲網(wǎng)襯墊的屏蔽效能見表6。 表6 全金屬絲網(wǎng)襯墊的屏蔽效能dB 材 料 磁場（100kHz） 電場（10MHz） 平面波 1GHz 10GHz 鍍銀黃銅 80 135 105 95 鍍錫包銅鋼 80 130 105 95 鍍錫磷青銅 80 130 110 100 鋁 60 130 90 80 鎳銅合金 60 130 90 80 3.2.3.2 環(huán)境密封金屬絲網(wǎng)襯墊 環(huán)境密封金屬絲網(wǎng)襯墊是由編織金屬絲網(wǎng)和橡膠結(jié)合而成，環(huán)境密封金屬絲網(wǎng)襯墊除能提供有效的電磁屏蔽外，還可以提供有效的環(huán)境密封。可用于電子設(shè)備殼體的固定接縫處或者活動接縫處，例如門縫等。一般壓縮量為原高度的25％左右。其中帶橡膠芯金屬絲網(wǎng)襯墊的屏蔽效能見表7。 表7 帶橡膠芯金屬絲網(wǎng)襯墊的屏蔽效能dB 3.2.3.3 金屬絲網(wǎng)屏蔽玻璃 金屬絲網(wǎng)屏蔽玻璃是將金屬絲網(wǎng)壓在兩層玻璃之間，不僅能提供有效的電磁屏蔽，還可以提供有效的透光?？捎糜陔娮釉O(shè)備的觀察窗口，例如表頭、數(shù)字或圖象顯示器等。金屬絲網(wǎng)屏蔽玻璃的屏蔽效能見表8。 表8 金屬絲網(wǎng)屏蔽玻璃的屏蔽效能dB 材 料 磁場（100kHz） 電場（10MHz） 平面波 1GHz 10GHz 黑化銅絲網(wǎng)，開孔60％ 55 120 60 40 黑化銅絲網(wǎng)，開孔45％ 55 120 80 50 3.2.3.4 鋁制蜂窩通風(fēng)板 鋁制蜂窩通風(fēng)板是由鋁框中的鋁制蜂窩構(gòu)成。波導(dǎo)型的蜂窩不僅具有電磁屏蔽效能，而且具有高的空氣流通性?？捎糜陔娮釉O(shè)備的通風(fēng)窗口。鋁制蜂窩通風(fēng)板的屏蔽效能見表9。 表9 鋁制蜂窩通風(fēng)板的屏蔽效能dB 材 料 磁場(100kHz) 電場(10MHz) 平面波 1GHz 10GHz 單層鍍鉻酸鹽 40 80 60 40 單層鍍鎘 75 125 105 85 單層鍍錫 70 125 105 85 單層鍍鎳 80 135 115 95 多層鍍鉻酸鹽 65 110 95 85 3.2.4 導(dǎo)電纖維 導(dǎo)電纖維分為以下5種。 1）在化纖織物上鍍銅或鎳后制成導(dǎo)電布，可對高頻和微波具有靈活的屏蔽性能。 2）將導(dǎo)電布和樹脂復(fù)合制成吸收導(dǎo)電布，由于選用能吸收電磁波的樹脂，因此屏蔽性能更好。 ?。?）用導(dǎo)電良好的